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J-GLOBAL ID：201602276971163641   整理番号：16A0427549

ピエゾ-フォトトロニック効果による自励式ZnO/スピロMeOTADヘテロ接合型紫外光検出器の光応答性能の向上

Improved Photoresponse Performance of Self-Powered ZnO/Spiro-MeOTAD Heterojunction Ultraviolet Photodetector by Piezo-Phototronic Effect

著者 (7件)： SHEN Yanwei (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  YAN Xiaoqin (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  SI Haonan (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  LIN Pei (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  LIU Yichong (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  SUN Yihui (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN) ,  ZHANG Yue (Univ. Sci. and Technol. Beijing, Beijing, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 8  号： 9  ページ： 6137-6143  発行年： 2016年03月09日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外検出器にZnO/スピロMeOTADヘテロ接合を利用した。紫外検出器の光応答性能を向上するために,接触部や接合部のエネルギーバンド構造の設計について検討した。ウルツ鉱構造ZnOでの圧電ポテンシャルを設計し,電荷キャリアの分離および輸送を効果的に調整した。自励式ヘテロ接合型紫外光検出器を作製し,その特性を調べた。ゼロバイアスでのUV光照射に対する応答性や光電流特性を示した。引張り歪みを加えると光電流が増加した。これは,圧電ポテンシャル変調されたエネルギーバンド構造により光生成の電子-正孔対が効率的に分離および輸送されることに起因した。圧電半導体材料で作られた光検出器の性能を最適化する方法を示した。

シソーラス用語： *圧電気 ,  *紫外検出器 ,  光照射 ,  ヘテロ接合 ,  *酸化亜鉛 ,  バンド構造 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  キャリア ,  半導体材料 ,  圧電半導体 ,  バイアス ,  光電流 ,  応答特性 ,  接合部 ,  格子歪
準シソーラス用語： 引張歪 ,  光応答

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

物質索引 (1件)： スピロOMeTAD

タイトルに関連する用語 (6件)： 自励 ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  紫外光 ,  検出器 ,  光応答