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J-GLOBAL ID：201602276991990692   整理番号：16A0610907

コンパクトなSOIベースのアルミニウム/高ドープの設計と解析p型シリコンハイブリッドプラズモン変調器【Powered by NICT】

Design and Analysis of a Compact SOI-Based Aluminum/Highly Doped p-Type Silicon Hybrid Plasmonic Modulator

著者 (6件)： Qi Zhipeng (Advanced Photonics Center, School of Electrical Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096) ,  Hu Guohua (Advanced Photonics Center, School of Electrical Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096) ,  Li Lei (Advanced Photonics Center, School of Electrical Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096) ,  Yun Binfeng (Advanced Photonics Center, School of Electrical Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096) ,  Zhang Ruohu (Advanced Photonics Center, School of Electrical Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096) ,  Cui Yiping (Advanced Photonics Center, School of Electrical Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 210096)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 8  号： 3  ページ： ROMBUNNO.4801711.1-11  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通信波長1550nmで動作するシリコンnp n型ハイブリッドプラズモン変調器は本論文で理論的に調べた。提案した変調器はSi導波路をもつ1μm np n型Al/p-Siハイブリッドプラズモン導波路の統合に依存している。p型シリコンは高度にドープしたとき,表面プラズモンポラリトン波の伝搬を支援する金属的性質を示すことを実証した。シミュレーション結果はAlスタックは0.2μmhighときTE(TM)モードの出力パワーは-7.6dB(-2.5 dB)から-31.5dBに減少し(-7.5 dB)とp-Siのキャリア濃度は1×10~21cm~-3から0~1.2Vの電圧増加と共に達成されるとしていることを示した。このようなプラズモン変調器は電界吸収効果による伝搬損失に依存するだけでなく,モード不整合によって提起された結合損失を利用し,これは高い変調効率をもたらした。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電界吸収 ,  キャリア密度 ,  波長 ,  *ドーピング ,  *ケイ素 ,  不整合 ,  *変調器 ,  *プラズモン ,  導波路 ,  *アルミニウム ,  通信
準シソーラス用語： 結合損失 ,  伝搬損失 ,  表面プラズモンポラリトン ,  プラズモン導波路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  移動通信  (ND08030H) ,  変復調方式  (ND07020P) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (8件)： SOI ,  アルミニウム ,  ドープ ,  設計 ,  解析 ,  p型シリコン ,  プラズモン ,  変調器