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J-GLOBAL ID：201602277278464823   整理番号：16A0547672

ゲート同調可能WSe₂-BP van der Waalsヘテロ接合素子

Gate tunable WSe₂-BP van der Waals heterojunction devices

著者 (13件)： Chen Peng (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Zhang Ting Ting ,  zhang Jing ,  Xiang Jianyong ,  Yu Hua ,  Wu Shuang ,  Lu Xiaobo ,  Wang Guole ,  Wen Fusheng ,  Liu Zhongyuan ,  Yang Rong ,  Shi Dongxia ,  Zhang Guangyu
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 8  号： 6  ページ： 3254-3258  発行年： 2016年02月14日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弱い遮蔽効果により,2D半導体ヘテロ接合中の電荷キャリアの濃度とタイプは静電により効率的に同調でき,単一素子中に異なるタイプのヘテロ接合を実現できる。このような‘タイプ同調可能’性は新しいエレクトロニクスとオプトエレクトロニクス素子を設計するために有用である。本稿では,’タイプ同調可能’ヘテロ接合素子を両極性2D半導体の2部分から構築した。これらの2部分はWSe₂と黒リン(BP)である。このヘテロ接合はp-p接合またはn-n接合のどちらかによりゲート変調により同調される。p-p接合は大電流整流比を,n-n接合は無視できる整流比を示し,これはWSe₂/BP界面における大価電子バンドオフセットと小伝導バンドオフセットを示した。オプトエレクトロニクス測定において,振幅と光電流の極性が静電ゲーティングにより変調されることを見出した。この研究はこれらのタイプ同調可能van der Waalsヘテロ接合に基づく素子の設計の理解を増強させるであろう。さらに,WSe₂/BP界面の性質も実験的に同定した。Copyright 2016 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *ヘテロ接合 ,  ゲート【半導体】 ,  同調 ,  van der Waals力 ,  *タングステン化合物 ,  *セレン化物 ,  *黒リン ,  整流 ,  バンドオフセット ,  価電子バンド ,  伝導バンド ,  電磁遮蔽 ,  電子技術 ,  オプトエレクトロニクス ,  極性 ,  二次元 ,  光電流 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *セレン化タングステン

分類 (3件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート ,  同調 ,  BP ,  VAN ,  ヘテロ接合