文献

J-GLOBAL ID：201602277632361601   整理番号：16A0930371

Au(111)上におけるMoS₂,MoSe₂合成と局所電子状態評価

著者 (4件)： 高橋諒丞 (北大 大学院) ,  逢坂凌 (北大 大学院) ,  保田諭 (北大 大学院) ,  村越敬 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-A33-12  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *硫化モリブデン ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  化学合成 ,  金 ,  結晶面 ,  結晶方位 ,  *電子状態 ,  局所性 ,  *Raman分光法 ,  表面構造 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  *硫化モリブデン(IV) ,  構造
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  MoS2 ,  電子状態 ,  評価