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J-GLOBAL ID：201602277789645732   整理番号：16A0769947

不揮発性PMCに基づく(プログラマブル・メタライゼーション・セル)レジスタファイルの設計【Powered by NICT】

A design of a non-volatile PMC-based (programmable metallization cell) register file

著者 (3件)： Junsangsri Salin (ECE, ECE Dept, Northeastern University, Boston, MA 02115, USA) ,  Han Jie (ECE Dept, University of Alberta Edmonton, Alberta, Canada T6G 2V4) ,  Lombardi Fabrizio (ECE Dept, Northeastern University, Boston, MA 02115, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： GLSVLSI  ページ： 21-26  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SRAMとプログラマブル・メタライゼーション・セル(PMC)からなるセルを用いた不揮発性レジスタファイルの設計を提示した。提案したセルは,対称8T2P(トランジスタ,2pmc)設計である作業における正当性を確実にするために三つの制御線を利用する(すなわち書込み,読出し,貯蔵および回復)。HSPICEを用いたシミュレーションの結果は,細胞と同様にレジスタファイルアレイ(一次元および二次元両方式)を示した。細胞レベルでは,オフ状態抵抗は読取時間に限られた影響を持つことが示される,提案した回路のPMCを結ぶSRAMへのトランジスタがオフのためである。貯蔵時間に大きな影響を持たないが,回復動作の時間はオフ状態抵抗値に依存し,すなわちオフ状態PMC抵抗の増加は回復時間の増加を引き起こす。PMC,あるいは相変化メモリ(PCM)のいずれかを用いた不揮発レジスタファイル間の比較を提供した。PMCを用いたレジスタファイルはPCMベース対応物よりも速く蓄積リード時間を持つ;これはほとんどこれら二つの不揮発性技術のための抵抗値の差によって引き起こされる。これらの操作に関与する低遅延を提案PMCに基づくレジスタファイルは遅延性能の点で大きな利点を提供することを確認した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 対称性 ,  一次元 ,  *メタライゼーション ,  トランジスタ ,  二次元 ,  SRAM ,  *非揮発性
準シソーラス用語： 相変化メモリ ,  回復時間 ,  オフ状態 ,  HSPICE ,  読出し ,  *レジスタファイル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性 ,  PMC ,  メタライゼーション ,  セル ,  レジスタファイル ,  設計