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J-GLOBAL ID：201602277822105162   整理番号：16A1240729

多方向磁場下での多結晶シリコンの配向凝固シミュレーションと解析【JST・京大機械翻訳】

Numerical Simulation and Analysis of Directional Solidification of Multi-crystalline Silicon under Cusp-shaped Magnetic Field

著者 (5件)： Luo Yufeng (School of Mechanical and Electronic Engineering,Nanchang University, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials) ,  Liu Jie (School of Mechanical and Electronic Engineering,Nanchang University) ,  Zhang Fayun (School of New Energy Science and Engineering, Xinyu University, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials) ,  Rao Senlin (School of New Energy Science and Engineering, Xinyu University, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials) ,  Hu Yun (School of New Energy Science and Engineering, Xinyu University, Key Laboratory of University in Jiangxi for Silicon Materials)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 45  号： 1  ページ： 110-114,127  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 多結晶シリコンの一方向凝固過程における二次元数値シミュレーションを,有限要素法に基づくソフトウェアCOMSOL MULTIPHYSICSを用いて行い,多結晶シリコンの配向凝固過程に及ぼす磁場の影響を研究した。シミュレーションはそれぞれコイル電流を0A,10A,20A,30Aと40Aの場合に行った。結果は以下を示す。CMFは溶融物の対流を効果的に抑制することができ,特にるつぼ側壁付近の溶融物に対しても有効である。CMFは結晶化時の固液界面に影響し,結晶化初期の凸面結晶界面を平滑化させることができた。電流が0Aから40Aに徐々に増加すると,溶融物に印加される磁場も徐々に増加し,溶融物の最高流速は徐々に減少し,最高流速の減少量は最初に増加し,次に減少する傾向を示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二次元 ,  凸面 ,  *凝固 ,  坩堝 ,  結晶粒界 ,  有限要素法 ,  *磁場 ,  平滑化 ,  メルト ,  一方向凝固 ,  固液界面 ,  *ポリシリコン ,  流速
準シソーラス用語： COMSOL ,  数値シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： directional solidification ,  magnetic field ,  melt convection ,  numerical simulation ,  multicrystalline silicon

分類 (2件)： 溶込,溶滴移行,溶融池  (WC07090U) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 多方向 ,  磁場 ,  多結晶シリコン ,  配向 ,  凝固 ,  シミュレーション ,  解析