文献

J-GLOBAL ID：201602278220891853   整理番号：16A1098508

放射線環境におけるDPSAバイポーラ接合トランジスタの信頼性【Powered by NICT】

Reliability of DPSA bipolar junction transistors in radiation environment

著者 (6件)： Wu Xue (Science and Technology on Analog Integrated Circuit, Laboratory, Chongqing, China) ,  Zhang Peijian (Science and Technology on Analog Integrated Circuit, Laboratory, Chongqing, China) ,  Tang Zhaohuan (Science and Technology on Analog Integrated Circuit, Laboratory, Chongqing, China) ,  Tan Kaizhou (Science and Technology on Analog Integrated Circuit, Laboratory, Chongqing, China) ,  Lu Wu (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry Chinese, Academy of Sciences, Urumqi, Xinjiang, China) ,  Jia Jincheng (Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry Chinese, Academy of Sciences, Urumqi, Xinjiang, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重ポリシリコン自己整合(DPSA)バイポーラ接合トランジスタ(BJT)によって示される照射信頼性特性を関連させた。Gummel curses,接合と絶縁破壊電圧の漏れ電流は二バイアスモードで~60Coγ線照射前後で測定した。デバイスである~60Coγ線照射,特にベース電流とC-B接合漏れ電流のパラメータに敏感であることを見出した。逆モードにバイアスされたデバイスは,順方向モードに及ぼすバイアスより感受性であることを見出した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  バイアス ,  ポリシリコン ,  漏れ電流 ,  *放射線 ,  感受性 ,  自己整合 ,  γ線照射 ,  *バイポーラトランジスタ
準シソーラス用語： ベース電流 ,  絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 放射線 ,  環境 ,  バイポーラ接合トランジスタ