電荷ベースの容量測定による閾値電圧変動の検討

TSUJI Katsuhiro; TERADA Kazuo; TAKEDA Ryo; FUJISAKA Hisato

文献

J-GLOBAL ID：201602279099411682 整理番号：16A1227136

電荷ベースの容量測定による閾値電圧変動の検討

Study on Threshold Voltage Variation Evaluated by Charge-Based Capacitance Measurement

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資料名：
巻： E99.C 号： 4 ページ： 466-473(J-STAGE) 発行年： 2016年
JST資料番号： U0468A ISSN： 1745-1353 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

最初に,容量測定で得られた実際のサイズのMOSFETの閾値電圧の変動を電流測定で得られたMOSFETのそれと比較し,それらの差を検討する。静電容量測定によって得られた閾値電圧の変化は,それらの電流測定と同様の挙動を示し,絶対値は電流測定によって得られるものよりも小さいことが分かった。その違いの理由は,電流経路に沿った局所的なチャネルドーパントの不均一性が,電流測定から得られる閾値電圧の変動を大きくすることによって部分的に説明される。測定されたCV曲線から得られるフラットバンド電圧の変動は小さく,閾値電圧変動に対して有意ではないことが分かった。(翻訳著者抄録)

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著者キーワード (6件)： , , , , ,

トランジスタ , 半導体集積回路 , 集積回路一般

引用文献 (22件)：

[1] J.C. Chen, B.W. McGaughy, D. Sylvester, and C. Hu, “An on-chip, attofarad interconnect charge-based capacitance measurement (CBCM) technique,” IEDM Tech. Dig., pp.69-72, 1996.
[2] B. Sell, A. Avellan, and W.H. Krautschneider, “Charge-based capacitance measurements (CBCM) on MOS devices,” IEEE Trans. Device Mater. Rel., vol.2, no.1, pp.9-12, March 2002.
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[5] Y.-W. Chang, H.-W. Chang, T.-C. Lu, Y.-C. King, W. Ting, Y.-H.J. Ku, and C.-Y. Lu, “Charge-based capacitance measurement for bias-dependent capacitance,” IEEE Electron Device Lett., vol.27, no.5, pp.390-392, May 2006.

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