文献

J-GLOBAL ID：201602279430153074   整理番号：16A1319006

ポスト金属アニーリングプロセスとしてのマイクロ波アニーリングによりアリールした高k/金属ゲートMOSキャパシタの研究【Powered by NICT】

Investigation of high-k/metal gate MOS capacitors annealed by microwave annealing as a post-metal annealing process

著者 (4件)： Su Yin-Hsien (Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University, Tainan 70155, Taiwan, R. O. C.) ,  Kuo Tai-Chen (Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University, Tainan 70155, Taiwan, R. O. C.) ,  Lee Wen-Hsi (Department of Electrical Engineering National Cheng Kung University, Tainan 70155, Taiwan, R. O. C.) ,  Lee Yao-Ren (National Nano Device Laboratories, Hsinchu 30010, Taiwan, R. O. C.)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： NANO  ページ： 773-776  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高kおよび金属ゲート材料を有するMOSFETは現在採用されている。しかし,金属蒸着後のアニーリング過程として伝統的な急速熱アニーリングを用いた厚いSiO_2中間層と大きなフラットバンドシフトを引き起こした。将来のプロセスのために,代替ポスト金属アニーリング法を見つけなければならない。本研究は,マイクロ波アニーリング法でアニールしたTiN/Al/TiN/HfO_2/Si MOSキャパシタの電気的特性と物理的特性を調べた。結果は,2700Wでのマイクロ波アニーリングによってアニールした試料は低い等価酸化膜厚,低い界面状態密度と低い酸化物捕獲電荷密度を示した。に加えて,酸化物膜へのAlの拡散も抑制された。結果として,高k/金属ゲートMOSキャパシタの,高い酸化物容量,高い絶縁破壊電圧と低い漏れ電流は,マイクロ波アニーリングを用いて得ることができる。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルミニウム ,  *コンデンサ ,  酸化物 ,  RTA【熱処理】 ,  *マイクロ波 ,  漏れ電流 ,  MOSFET ,  シミュレーテッドアニーリング ,  *焼なまし ,  絶縁破壊電圧 ,  界面状態密度 ,  等価酸化膜厚 ,  中間層
準シソーラス用語： *MOSコンデンサ ,  *メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 信号理論  (ND02020G) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： アニーリング ,  プロセス ,  マイクロ波 ,  金属ゲート ,  MOSキャパシタ ,  研究