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J-GLOBAL ID：201602280508184750   整理番号：13A1127028

Study of 940 nm Semiconductor Lasers with Non-Absorb Window Structure Fabricated by Impurity-Free Vacancy Disordering

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著者 (7件)：
Zhou Lu

Zhou Lu について

(State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun)

State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun について

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Bo Baoxue

Bo Baoxue について

(State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun)

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Wang Yunhua

Wang Yunhua について

(State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun)

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Jia Baoshan

Jia Baoshan について

(State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun)

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Bai Duanyuan

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(State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun)

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Qiao Zhongliang

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Gao Xin

Gao Xin について

(State Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers,Changchun Univ. of Sci. and Technol., Jinlin, Changchun)

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資料名：
Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)

Zhongguo Jiguang について


巻： 39  号： 8  ページ： 0802001-1-0802001-5  発行年： 2012年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

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