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J-GLOBAL ID：201602281908667165   整理番号：16A1165000

a-Siの開放電圧を調査するための解析モデル::H/c-Siヘテロ接合太陽電池【Powered by NICT】

An analytical model to explore open-circuit voltage of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

著者 (4件)： Zhong Chunliang (Department of Electronics Science and Information Engineering, Hunan University of Technology) ,  Geng Kuiwei (School of Electronics and Information Engineering, South China University of Technology) ,  Luo Lane (Department of Electronics Science and Information Engineering, Hunan University of Technology) ,  Yang Diwu (Department of Electronics Science and Information Engineering, Hunan University of Technology)
資料名： Journal of Central South University  (Journal of Central South University)
巻： 23  号： 3  ページ： 598-603  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1117A  ISSN： 2095-2899  CODEN： JCSUBS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si:H/c-Siヘテロ接合太陽電池の開回路電圧,V(OC)に及ぼすパラメータの影響を解析モデルによって調べた。解析結果は,V(OC)は,通常の照明下で照明強度の対数と共に直線的に増加することを示した。は開路電圧(V(OC)),D()(crit1)とD()(crit-1,2)(1010cm( 2)eV( 1))二臨界値界面状態密度(D(it))である。V(OC)は著しく低下するDitであるD-()(crit1,1)よりも高かった。高V(OC)を達成するために,界面状態は1010cm( 2)eVまで( 1)を減少させるべきである。c-Siの伝導帯及び価電子帯端における状態の有効密度の違いのために,n型c-Siウエハ上に作製したa-Si:H/c-Siヘテロ接合電池の開回路電圧は同一症例でのp型c-Siウエハ上に作製したものより約22mV高かった。c-Si空乏領域以上の電場は,低ドーピングレベルで還元されるのでV(OC)は,低ドーピングレベルでのa-Si:Hドーピング濃度の減少と共に減少した。,a-Si:H層は高V(OC)を達成するために,5×10(18)cm( 3)の臨界値より高いドープしたすべきである。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  ドーピング ,  伝導バンド ,  *解析モデル ,  *電池 ,  臨界定数 ,  価電子バンド ,  電場 ,  *ケイ素 ,  照明 ,  表面準位
準シソーラス用語： a-Si:H ,  界面状態密度 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 太陽電池 ,  a-Si:H/c-Siヘテロ接合 ,  開回路電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  開放電圧 ,  調査 ,  解析モデル ,  ヘテロ接合太陽電池