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J-GLOBAL ID：201602281934631402   整理番号：16A0915384

中性粒子ビームによる原子層加工・堆積プロセス

著者 (1件)： 寒川誠二 (東北大)
資料名： 光アライアンス  (Optical Alliance)
巻： 27  号： 10  ページ： 28-34  発行年： 2016年10月01日 
JST資料番号： L1746A  ISSN： 0917-026X  CODEN： HARAEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 今後の超先端半導体デバイスでは表面欠陥の生成を極力抑制した原子層レベルの加工や堆積プロセスが必要になる。中性粒子ビームプロセスはプラズマから照射される紫外線や電荷蓄積を極限まで抑え,原子層レベルの理想的な表面反応が可能であり,ナノデバイス作製に不可欠なプロセスである。(著者抄録)

シソーラス用語： *中性粒子ビーム ,  *層 ,  *加工 ,  *化学蒸着 ,  先端技術 ,  半導体素子 ,  表面欠陥 ,  *工程 ,  プラズマ曝露 ,  紫外線 ,  帯電 ,  表面反応 ,  固体素子
準シソーラス用語： *原子層 ,  *原子層堆積 ,  ナノデバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中性粒子ビーム ,  原子層 ,  堆積 ,  プロセス