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J-GLOBAL ID：201602283474092133   整理番号：16A0427426

電気的に励起されるシリコン上の連続波III-V族量子ドットレーザー

Electrically pumped continuous-wave III-V quantum dot lasers on silicon

著者 (12件)： CHEN Siming (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  WU Jiang (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  JIANG Qi (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  TANG Mingchu (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  SEEDS Alwyn J. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  LIU Huiyun (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  LI Wei (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  ROSS Ian (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  SHUTTS Samuel (Cardiff Univ., Cardiff, GBR) ,  ELLIOTT Stella N. (Cardiff Univ., Cardiff, GBR) ,  SOBIESIERSKI Angela (Cardiff Univ., Cardiff, GBR) ,  SMOWTON Peter M. (Cardiff Univ., Cardiff, GBR)
資料名： Nature Photonics  (Nature Photonics)
巻： 10  号： 5  ページ： 307-311  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： W2212A  ISSN： 1749-4885  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気的に励起されるシリコンベースの高信頼性・高効率レーザーは,フォトニック回路と電子回路の完全な統合を可能にすると思われるが,これまではウエハー接合によってしか実現されたことがない。今回我々は,シリコン基板上に直接成長させた連続波InAs/GaAs量子ドットレーザーを実証している。このレーザーのしきい値電流密度は,62.5A cm^-2と低く,出力は室温で105mWを超え,最高120°Cで動作する。3,100時間を超える連続波動作データが収集され,これを外挿することによって,100,158時間を超える平均故障時間が得られた。シリコン上に高性能量子ドットレーザーを実現できたのは,核形成層,転位フィルター層,in situ熱アニールを組み合わせることによって,III-V族エピ層の貫通転位の密度を10⁵cm^-2程度と低くできたためである。今回の結果は,信頼性と費用対効果の高いシリコンベースのフォトニクスとエレクトロニクスの統合に向けての大きな進歩である。Copyright Nature Publishing Group 2016

シソーラス用語： *量子ドットレーザ ,  化合物半導体 ,  *連続レーザ ,  *ケイ素 ,  電気的性質 ,  励起 ,  *ヒ化インジウム ,  *量子ドット ,  *ヒ化ガリウム ,  電流密度 ,  閾値 ,  熱処理 ,  エピタクシー ,  貫通転位 ,  転位密度
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  しきい値電流密度 ,  貫通転位密度 ,  熱アニール

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 励起 ,  シリコン ,  連続波 ,  量子ドットレーザー