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J-GLOBAL ID：201602284436743755   整理番号：16A0395780

重水素終端Si(110)-(1×1)表面のフォノン分散:実験と理論

著者 (7件)： 岡田祐太 (東北大 大学院) ,  川本絵里奈 (東北大 大学院) ,  HU C. (東京理大 理) ,  松下ステファン悠 (東北大 大学院) ,  山田太郎 (東大 工) ,  渡辺一之 (東京理大 理) ,  須藤彰三 (東北大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 71  号： 1  ページ： ROMBUNNO.21AAJ-6  発行年： 2016年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  結晶方位 ,  末端基 ,  重水素 ,  *表面フォノン ,  *フォノン分散 ,  高分解能分光法 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  第一原理

分類 (1件)： 表面の格子振動  (BL03060R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素終端 ,  Si ,  フォノン分散 ,  実験 ,  理論