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J-GLOBAL ID：201602285368416973   整理番号：16A0611311

MBEとMOCVDにより成長させたGaAs_0.75P_0.25/Si二重接合太陽電池【Powered by NICT】

GaAs_0.75P_0.25/Si Dual-Junction Solar Cells Grown by MBE and MOCVD

著者 (5件)： Grassman Tyler J. (Ohio State Univ., Columbus, OH, USA) ,  Chmielewski Daniel J. (Ohio State Univ., Columbus, OH, USA) ,  Carnevale Santino D. (Ohio State Univ., Columbus, OH, USA) ,  Carlin John A. (Ohio State Univ., Columbus, OH, USA) ,  Ringel Steven A. (Ohio State Univ., Columbus, OH, USA)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 6  号： 1  ページ： 326-331  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック,エピタキシャル,直列接続GaAs_0.75P_0.25/Si二重接合太陽電池,分子ビームエピタクシー(MBE)と有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させた,を初めて報告した。両方の場合に作製したテストデバイスを作動タンデム挙動を示し,明確な電圧加算とスペクトル分割された。しかし,トンネル接合破壊を防止するのに必要なMBE成長における熱予算制約により,MBE成長させたGaAs_0.75P_0.25トップセルは等価MOCVD成長させたデバイスよりも低品質であることが分かった。さらに,減少した熱収支にもかかわらず,MBE成長トンネル接合が劣化挙動を示し,さらにMBE/MOCVD組合せ電池の全体性能を低下させる。完全なMOCVD成長型の構造は,このような問題を示さず,有意に高い全体性能が得られた。これら初期原型細胞は有望な性能を示し,更なるデバイス改良のためのいくつかの重要な経路を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 加算 ,  品質 ,  直列接続 ,  スペクトル ,  *MOCVD ,  熱収支 ,  MBE成長 ,  トンネル接合 ,  *太陽電池 ,  *電池 ,  電圧 ,  制約条件 ,  エピタクシー

著者キーワード (6件)： III-V族半導体材料 ,  太陽電池 ,  PV ,  半導体エピタキシャル層 ,  シリコン ,  Si PVデバイスの製作

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： MBE ,  MOCVD ,  成長 ,  Si ,  太陽電池