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J-GLOBAL ID：201602285384020333   整理番号：16A1366891

SiC MOSFETベース双方向性分離DC/DCコンバータの効率分析

Efficiency Analysis of SiC-MOSFET-Based Bidirectional Isolated DC/DC Converters

著者 (8件)： SAITO Atsushi (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University) ,  SATO Kenshiro (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University) ,  TANIMOTO Yuta (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University) ,  MATSUURA Kai (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University) ,  SASAKI Yutaka (Graduate School of Engineering, Hiroshima University) ,  MIURA-MATTAUSCH Mitiko (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University) ,  MATTAUSCH Hans Juergen (Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University) ,  ZOKA Yoshifumi (Graduate School of Engineering, Hiroshima University)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E99.C  号： 9  ページ： 1065-1070(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC-MOSFETの回路性能ベース双方向性分離DC/DCコンバータを,物理的に正確でコンパクトなデバイスモデル HiSiM_HVにて実施した回路シミュレーションに基づいて調査した。それにより,MOSFET R_onと変成器中のインダクタンスの最適組合せが,97%以上の変換効率を可能にすることを示した。また,シミュレーションにより,可能な効率改善が,MOSFET性能劣化すなわちキャリア易動度低減により消失することを検証した。それは,可能なR_on低減の限界になる。さらに,MOSFET動作条件の最適化が,付加されるコンバータ効率改善を達成するために,結果的により高度のMOSFET性能を利用することが重要であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *DC-DCコンバータ ,  半導体素子 ,  *MOSFET ,  *性能分析 ,  性質 ,  効率 ,  キャリア移動度 ,  変成器 ,  インダクタンス ,  最適化 ,  変換効率 ,  改変
準シソーラス用語： SiC素子 ,  *効率分析 ,  双方向性 ,  効率解析

著者キーワード (6件)： circuit simulation ,  compact model ,  DC/DC converter ,  SiC-MOSFET ,  optimization ,  conversion efficiency

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (15件)：

• [1] H. Ohashi and I. Omura, “Role of simulation technology for the progress in power devices and their applications,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.60, no.2, pp.528-534, Feb. 2013.
• [2] R.L. Steigerwald, R.W. De Doncker, and M.H. Kheraluwala, “A comparison of high-power DC-DC soft-switched converter topologies,” IEEE Trans. Industry Application, vol.32, no.5, pp.1139-1145, Sept. 1996.
• [3] T. Yamagishi, H. Akagi, S. Kinouchi, Y. Miyazaki, and M. Koyama, “A 750-V, 100-kW, 20-kHz bidirectional isolated DC/DC converter using SiC-MOSFET/SBD modules,” IEEJ Trans. Industry Application, vol.134, no.5, pp.544-553, 2014.
• [4] Y.P. Tsividis, Operation and modeling of the MOS transistors, McGraw-Hill Book Company, 1987.
• [5] M. Miura-Mattausch, H.J. Mattausch, and T. Ezaki, The physics and modeling of MOSFETs, World Scientific, Singapore, 2008.

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  双方向性 ,  DC ,  コンバータ ,  効率分析