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J-GLOBAL ID：201602285607998494   整理番号：16A0318014

GaN/AlN一定全有効半径マルチシェル量子ドットにおけるミニバンド形成【Powered by NICT】

Miniband Formation in GaN/AIN Constant-Total-Effective-Radius Multi-shell Quantum Dots

著者 (1件)： Solaimani M (Dep. of Physics, Qom Univ. of technology, Iran, Qom)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 32  号： 11  ページ： 117304-1-117304-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,サブバンドエネルギーを計算することにより,GaN/AlN一定の総実効半径多重シェル量子ドット(CTER-MSQDs)におけるミニバンド形成の手法を検討した。井戸の数が変化する場合にはミニバンドの幅およびミニバンドギャップの異なる挙動を見出した。その結果,内量子ドット半径R(における)の増加に伴って,ミニギャップの数は減少することを示した。外側量子ドット半径Routが増加すると,ミニギャップの数は増加した。CTER MSQD系で,2種類のミニギャップの存在することを示した:(i)では,井戸の数が増加するとミニギャップは単調増加型(ii)では,井戸の数が増加すると,ミニギャップのいくつかを,作成,増加,井戸減少の限界数で,最終的に消滅した。このように井戸の数,内部と外部の量子ドット半径R(における)とR(外)を用いてCTER MSQDシステムにおけるミニギャップとミニバンド幅の調整が可能となった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  AlN ,  有効半径 ,  マルチ ,  シェル ,  量子ドット ,  ミニバンド