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J-GLOBAL ID：201602286406685242   整理番号：16A0514327

標準CMOSプロセスで作製されたAPDの受光特性の波長依存性

Wavelength-dependent photodetection characteristics of APDs fabricated by standard CMOS process

著者 (3件)： 飯山宏一 (金沢大 理工研究域) ,  NAPIAH Zul Atfyi Fauzan bin Mohammed (金沢大 大学院自然科学研究科) ,  菱木拓哉 (金沢大 大学院自然科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 52(LQE2016 1-18)  ページ： 37-41  発行年： 2016年05月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標準CMOSプロセスで作製されたAPD(CMOS-APD)は10V以下の電圧で高いアバランシェ利得と1GHz以上の広帯域が得られ,さらに電子回路との集積化が容易である特徴を持つ。CMOS-APDでは高速化のために基板での受光により発生したキャリアの移動をブロックするガードリングが設けられるが,その効果は波長に依存する。本研究では,ガードリングを持つCMOS-APDの感度と応答性の波長依存性について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  *半導体プロセス ,  広帯域 ,  電子回路 ,  リング ,  固体回路部品 ,  *感度 ,  *波長依存性
準シソーラス用語： *APD【ダイオード】 ,  *CMOSプロセス ,  ガードリング

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 標準 ,  CMOSプロセス ,  作製 ,  APD ,  波長依存性