抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電磁干渉(EMI)は,モバイルシステムの全システム性能を決定する上でますます重要な因子である。これは移動プラットフォームのサイズ減少と電子部品の密度により駆動される。本研究では,電力供給ネットワーク(PDN)効果を含むI/Oドライバモデルを用いたアプリケーションプロセッサ(AP)および動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)の間の界面におけるEMI効果の解析アプローチを提案した。このアプローチを適用することにより,その動作周波数は移動操作のスキームに依存してup/downwardシフトする時,AP DRAM界面によるEMI効果を正確に予測できた。AP DRAM界面におけるEMI効果はI/O PDNの(1)オンチップ金属レイアウトとパッケージレイアウト,(2)I/O PDNの挿入デカップリング静電容量,(3)信号の上昇/下降時間を定義するI/Oドライバ特性,および(4),隣接車線間のクロストークとデータ転送でそれらの周波数応答を含むチャネル特性によって特徴付けられる。時間領域シミュレーションでは,抽出されたI/OドライバモデルはAP抽出し,メモリ・パッケージモデル,チャネルモデル,インターポーザを用いた。シミュレーションは,ビット密度比,ビット長さ,とテストパターンに依存する入力刺激を変えて行った。結果として,6GHzまでAP DRAM界面によって発生するスペクトルの広い範囲を計算した。インターポーザでのデータ待ち行列(DQ)信号の帯域幅は基本周波数1.6GHzの多重高調波で約170MHzであることが分かった。測定と比較して,帯域幅の差は10MHz以下であることが分かったと高調波で電圧差は10dB以下であることが分かった。コンパクトな移動プラットフォームにおける通信性能の劣化に影響を及ぼし,関心の通信帯域におけるEMI効果を予測するためのその応用を実証することに成功するAP DRAM界面におけるEMI効果の解析と推定法を提案した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
