文献

J-GLOBAL ID：201602287130746653   整理番号：16A0517760

多重WS₂/SnS積層半導体ヘテロ接合の成長

Growth of multiple WS₂/SnS layered semiconductor heterojunctions

著者 (5件)： Browning Robert (Department of Physics, Portland State University, Portland, OR, USA) ,  Plachinda Paul ,  Padigi Prasanna ,  Solanki Raj ,  Rouvimov Sergei
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 8  号： 4  ページ： 2143-2148  発行年： 2016年01月28日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： WS₂とSnSは,2次元のファンデルワールス半導体であるが,結晶構造は異なる。原子層堆積を用いて,5cm×5cm基板上にこれらの材料の各々の3つの交互層を成長して,これらの材料のヘテロエピタキシーを調査した。最初に,WS₂とSnS膜を成長し,別々に特性評価した。WS₂のバックゲートトランジスタは,12cm²V^-1s^-1の実効移動度を有するn型挙動を示したが,SnSトランジスタは,818cm²V^-1s^-1の正孔移動度を有するp型導電性を示した。全ての移動度測定は室温で行った。予想通り,ヘテロ構造は,WS₂トランジスタよりも僅かに高い電子移動度を有するが,著しく低下した正孔移動度を有する両極性挙動を示した。著者等は,SnS層のストリエーション方向が,15度ツイストのWS₂のストリエーション方向に垂直であることを示す透過型電子顕微鏡写真により,この低下の理由を説明し,正孔は,その移動度の低下をもたらすファンデルワールス層を通過しなければならないことを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *タングステン化合物 ,  *多硫化物 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *ヘテロ接合 ,  *薄膜成長 ,  結晶構造 ,  化学蒸着 ,  キャラクタリゼーション ,  MOSFET ,  キャリア移動度 ,  極性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  成長縞
準シソーラス用語： *二硫化タングステン ,  *硫化スズ ,  *薄膜結晶成長 ,  原子層堆積 ,  特性評価 ,  バックゲートMOSトランジスタ ,  正孔移動度 ,  両極性 ,  電子移動度 ,  ストリエーション【結晶】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多重 ,  SNS ,  半導体ヘテロ接合 ,  成長