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J-GLOBAL ID：201602287330411279   整理番号：16A0757568

パルスレーザー蒸着法により作製したMnドープ(Bi_0.5Na_0.5TiO₃-BaTiO₃薄膜の大きな圧電性および強誘電性

Large Piezoelectricity and Ferroelectricity in Mn-Doped (Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-BaTiO₃ Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition

著者 (9件)： Lin Qianru (School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, NSW, 2052, Australia) ,  Ding Rui (School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, NSW, 2052, Australia) ,  Li Qian (Research School of Chemistry, The Australian National University, Canberra, ACT, 2601, Australia) ,  Tay Yee Yan (Facility for Analysis, Characterization, Testing and Simulation, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Tay Yee Yan (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Wang Danyang (School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, NSW, 2052, Australia) ,  Liu Yun (Research School of Chemistry, The Australian National University, Canberra, ACT, 2601, Australia) ,  Huang Yizhong (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, 50 Nanyang Avenue, 639798, Singapore) ,  Li Sean (School of Materials Science and Engineering, The University of New South Wales, Sydney, NSW, 2052, Australia)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 99  号： 7  ページ： 2347-2353  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる処理条件下のパルスレーザー蒸着法により,SrRuO₃(SRO)被覆(001)SrTiO₃(STO)単結晶基板上に,Mnドープ(Bi_0.5Na_0.5TiO₃-BaTiO₃(MnBNBT)薄膜を調製した。構造解析(XRDおよびTEM)により,STO/SRO/MnBNBTヘテロ構造のエピタキシャル成長を確認した。堆積温度を慎重に制御することにより,膜内の欠陥レベルを微調整することができた。最適化された温度で堆積したMnBNBT薄膜は,残留分極Pr=33.0μC/cm²,圧電係数d₃₃=120.0±20pm/Vの優れた強誘電体と圧電応答を示した。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  *ナトリウム化合物 ,  *ビスマス化合物 ,  マンガン ,  ドーピング ,  薄膜 ,  チタン酸ストロンチウム ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  単結晶 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  素子構造 ,  エピタクシー ,  *強誘電体 ,  残留分極 ,  *圧電体 ,  結晶構造 ,  格子欠陥 ,  インピーダンス ,  チタン酸ビスマスナトリウム ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  ヘテロ構造 ,  圧電定数
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  圧電特性 ,  圧電係数

著者キーワード (5件)： bismuth titanates ,  thin films ,  dopants/doping ,  ferroelectricity/ferroelectric materials ,  piezoelectric materials/properties

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (8件)： パルスレーザー蒸着 ,  作製 ,  Mn ,  ドープ ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  圧電性 ,  強誘電性