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J-GLOBAL ID：201602288159246540   整理番号：16A1092162

Ba₂TiSi₂O₈圧電結晶の成長及び熱的,電気的特性評価

The growth and thermal, electrical properties characterization of Ba₂TiSi₂O₈ piezoelectric crystal

著者 (9件)： Cao Shuoliang (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Cao Shuoliang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Jiang Bohan (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Jiang Bohan (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Zheng Yanqing (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Tu Xiaoniu (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Xiong Kainan (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Gao Pan (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China) ,  Shi Erwei (Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 451  ページ： 207-213  発行年： 2016年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チョクラルスキー法により,Ba₂TiSi₂O₈(BTS)結晶を成功裏に成長した。BTS結晶中の異なる成分の有効偏析係数k_effに従って,原料比を最適化した。熱膨張,比熱,熱拡散率,及び熱伝導率を含む高温でのBTS結晶の熱特性を系統的に研究した。25から185°Cの温度範囲における熱膨張係数α₃₃及びα₁₁の変動は,小さいが,185から1000°Cの温度範囲の熱膨張係数は,17.14×10^-6/°C及び4.73×10^-6/°Cであった。熱膨張比における強い異方性特性は,BTS結晶の層状構造に関係付けられた。温度が上昇するにつれて,熱伝導率は徐々に増加した。BTS結晶の圧電歪定数d₃₃は,準静的d₃₃メータを用いて,室温で4.5pC/Nと測定された。900°Cまでの温度でBTS結晶の電気抵抗率を調べたところ,BTS Zカット試料の抵抗率ρ_rは,800°Cで2.06×10⁹Ω cmであり,同温度でCa₃TaGa₃Si₂O₁₄(ランガサイト型結晶)Xカット試料(7.15×10⁶Ω cm)より3桁高い抵抗率であった。熱的及び電気的特性は,BTS結晶が,高温圧電センサのための潜在的な代替材料であることを示していた。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  *酸化ケイ素 ,  酸化物 ,  *圧電材料 ,  *結晶 ,  Czochralski法 ,  *熱特性 ,  *電気的性質 ,  熱膨張 ,  比熱 ,  温度伝導率 ,  熱伝導率 ,  異方性 ,  層状組織 ,  電歪 ,  電気抵抗率 ,  圧電センサ
準シソーラス用語： *シリコン酸化物 ,  チョクラルスキー成長法 ,  *熱的特性 ,  *電気的特性 ,  偏析係数 ,  熱拡散率 ,  層状構造

著者キーワード (5件)： A1. Crystal structure ,  A1. Heat characterization ,  A2. Czochralski method ,  B1. Oxides ,  B2. Piezoelectric materials

分類 (4件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  非金属のその他の熱的性質  (BL05040J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧電 ,  結晶 ,  成長 ,  電気的特性 ,  評価