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J-GLOBAL ID：201602288198805854   整理番号：16A1257125

LaAlO_3/SrTiO_3(110)界面での2次元電子ガスにおける面内異方性【Powered by NICT】

In-plane anisotropy in two-dimensional electron gas at LaAlO_3/SrTiO_3(110) interface

著者 (6件)： Shen Shengchun (Department of Physics, Beijing Normal University) ,  Hong Yanpeng (Department of Physics, Beijing Normal University) ,  Li Chengjian (Department of Physics, Beijing Normal University) ,  Xue Hongxia (Department of Physics, Beijing Normal University) ,  Wang Xinxin (Department of Physics, Beijing Normal University) ,  Nie Jiacai (Department of Physics, Beijing Normal University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 7  ページ： 076802-1-076802-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LaAlO_3/SrTiO_3(110)界面における二次元電子ガスの系統的研究は,二方向,[001]と[110]に沿って異方性を明らかにした。異方性は,低キャリア密度と高酸素圧下で作製した界面で明確になった。磁気抵抗の角度依存性は,電子閉込めが[110]方向に沿って強いことを示した。ゲート調整可能な磁気抵抗は,スピン-軌道結合の明確な面内異方性を明らかにし,両方向に沿ったスピン緩和機構がD’yakonov-Perel’(DP)シナリオに属していた。さらに,面内異方性超伝導が高いキャリア密度を有する試料に観察される,超伝導転移温度が低いが,上部臨界磁場は[110]方向に沿って高かった。面内異方性は二つの結晶学的方向に沿った異方性バンド構造に帰することができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  バンド構造 ,  *二次元電子ガス ,  磁気抵抗 ,  *異方性 ,  角度依存性 ,  *界面 ,  超伝導
準シソーラス用語： 上部臨界磁場 ,  超伝導転移温度 ,  スピン緩和 ,  L-S結合 ,  電子閉じ込め ,  酸素分圧 ,  *面内異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化物界面 ,  2次元電子ガス ,  anisotropy

分類 (4件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 界面 ,  2次元電子ガス ,  面内異方性