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J-GLOBAL ID：201602288334312636   整理番号：16A0615720

液晶ベース可変同調基板集積導波路構造のための電気的バイアス法【Powered by NICT】

Electrical biasing scheme for Liquid-Crystal-based tunable Substrate Integrated Waveguide structures

著者 (9件)： Prasetiadi A. E. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Rahmawati S. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Weickhmann C. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Nickel M. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Jost M. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Franke T. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Hu W. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Maune H. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Jakoby R. (Inst. fuer Mikrowellentech. und Photonik, Tech. Univ. Darmstadt, Darmstadt, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： GeMiC  ページ： 136-139  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電気バイアス構造は調整成分としての液晶(LC)を有する調整可能な基板集積導波路(SIW)デバイスを提案した。バイアス回路または電極はクロムと金層から成っていた。,1μmの厚さを持つ窒化けい素層を用いて,基底に対する電極を分離することである。±200Vの高電圧を適用する可能性があるので,高い絶縁破壊電圧が必要である。証明概念として,可同調遅延線に基づく簡単なLC SIW移相器を作製し,密閉作製したバイアス構造であった。シミュレーション結果は20GHzで89°/dBのメリット(FoM)の指数を示した。作製した移相器は5秒のスイッチング時間で32°/dBのFoMを与えた。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移相器 ,  クロム ,  シミュレーション ,  金 ,  *同調 ,  *バイアス ,  窒化ケイ素 ,  *液晶 ,  遅延線 ,  基底 ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： スイッチング時間 ,  バイアス回路 ,  *基板集積導波路 ,  *可変同調 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 液晶 ,  可変同調 ,  基板集積導波路 ,  バイアス