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J-GLOBAL ID：201602289489108387   整理番号：16A1093284

電気化学的インスリン放出およびグルコース検出のためのインスリン含浸還元グラフェン酸化物/Ni(OH)₂薄膜

Insulin impregnated reduced graphene oxide/Ni(OH)₂ thin films for electrochemical insulin release and glucose sensing

著者 (11件)： Belkhalfa Hakim (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, Lille1 University, Avenue Poincare-BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Belkhalfa Hakim (Research Center of Semiconductor Technology for Energy (CRTSE), Algeria) ,  Teodorescu Florina (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, Lille1 University, Avenue Poincare-BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Queniat Gurvan (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, Lille1 University, Avenue Poincare-BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Queniat Gurvan (University Lille, CNRS, CHU Lille, Institut Pasteur de Lille, European Genomic Institute of Diabetes (EGID) FR 3508, UMR 8199, Genomique Integrative et Modelisation des Maladies Metaboliques, F-59000 Lille, France) ,  Coffinier Yannick (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, Lille1 University, Avenue Poincare-BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Dokhan Nahed (Research Unit Materials, Processes and Environment (URMPE), University of Boumerdes, Algeria) ,  Sam Sabrina (Research Center of Semiconductor Technology for Energy (CRTSE), Algeria) ,  Abderrahmani Amar (University Lille, CNRS, CHU Lille, Institut Pasteur de Lille, European Genomic Institute of Diabetes (EGID) FR 3508, UMR 8199, Genomique Integrative et Modelisation des Maladies Metaboliques, F-59000 Lille, France) ,  Boukherroub Rabah (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, Lille1 University, Avenue Poincare-BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France) ,  Szunerits Sabine (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), UMR CNRS 8520, Lille1 University, Avenue Poincare-BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq, France)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 237  ページ： 693-701  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンに基づくナノ材料の電気泳動堆積(EPD)は,種々の応用のための基質における薄膜の制御蒸着に対する魅力的な戦略となってきた。本報告では,ニッケルイオンおよびインスリンを負荷されたグラフェン酸化物(GO)の水系懸濁液において浸積された金界面への電位の応用は,Ni(OH)₂ナノ構造を負荷されたインスリン含浸還元グラフェン酸化物(rGO)マトリックス(rGO/インスリン/Ni(OH)₂)の連続的被覆を生成することを示した。rGO/インスリン/Ni(OH)₂被覆Au電極は,+0.6Vでのアルカリ性媒体においてグルコース酸化への優れた電気触媒挙動を示した。グルコースへの感度は,≒5μMの検出限界で18.9±1.5mAmM^-1cm^-2であった。そのうえ,電気泳動的に沈着された被覆へ統合されたインスリンの量は48μgmL^-1であり,このマトリックスを放出研究に対する高い興味あるものにさせた。この界面の負電位の応用において,捕獲されたインスリンの電気化学的誘発された放出が達成された。EPDにより多機能性被覆を形成する可能性,診断に対しる触媒ナノ構造の組入および一段における治療に対する薬物は,この手法を他の表面被覆戦略への競合性の代替とさせた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電気化学 ,  *インスリン ,  *単糖類 ,  *グラフェン ,  *酸化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *水酸化物 ,  ナノ材料 ,  電気泳動堆積 ,  基質 ,  薄膜 ,  蒸着 ,  金属イオン ,  懸濁液 ,  金 ,  界面 ,  電位 ,  マトリックス【母体】 ,  被覆 ,  金電極 ,  触媒反応 ,  電気化学反応 ,  感度 ,  電気泳動 ,  沈着 ,  ナノ構造 ,  治療法 ,  表面被覆 ,  ヘキソース ,  アルドース
準シソーラス用語： *グラフェン酸化物 ,  *水酸化ニッケル ,  ニッケルイオン ,  電気触媒反応 ,  治療

著者キーワード (6件)： Electrophoretic deposition ,  Reduced graphene oxide ,  Nickel nanoparticles ,  Insulin ,  Electrochemical release ,  Enzyme-free glucose sensor

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  すい臓ホルモン  (EB08020H) ,  単糖類  (CF10052H) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (1件)： グルコース

タイトルに関連する用語 (8件)： 電気化学 ,  インスリン放出 ,  グルコース ,  インスリン ,  含浸 ,  還元グラフェン酸化物 ,  Ni ,  薄膜