抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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密度汎関数摂動理論に基づく擬ポテンシャル法による一原理密度汎関数理論全を用いて,本論文では,強いレーザ照射下のウルツ鉱型2H-SiC結晶の電子的性質を計算したバンド構造と状態密度を解析した。計算は交換-相関エネルギーに対する一般化勾配近似におけるABINITコードを用いて行った。入力変数tphysel ABINITコードに可変であり,レーザ強度に関係する,は電子T_eの物理的温度を定義した。T_eのサイズは集中的レーザーは超高速時間でそれを照射する場合に対応する結晶の電子温度をシミュレートするために設定した。Brillouin帯の高対称点に沿ったエネルギーバンド計算でΓA,H,KΓM L Hである。試験後,20H artreeカットオフエネルギーと4×4~×2k点グリッドを選択したときは,常に全エネルギーの良好な収束を得ることができる。次に,構造を最適化すると,構造パラメータと異なる電子温度条件での2H-SiCの対応する電子特性は最適化された平衡格子定数を用いて研究した。計算結果は,2H-SiCの平衡格子パラメータaとcは電子温度T_eは上昇として徐々に増加することを示した。電子温度が上がると共に,価電子帯のトップはΓが,伝導バンドの底は電子温度を増加すると,2H-SiCはまだ0-2.25eVの範囲における間接バンドギャップ半導体という事実をK点からシフトし,電子温度は2.25eVと2.5以上でさえeVに達した時に,結晶は直接バンドギャップ半導体へ変わった。絶えず上昇T_eと,伝導バンドの底と価電子バンドの頂上は共に高エネルギーまたは低エネルギーの方向に移動する。T_eは3.5eVを越えると,価電子バンドの頂上はFermi準位と交差する。T_eは0-2.0eVの範囲で変化するとき,禁制バンド幅は温度の上昇とともに上がり,T_eは2-3.5eVの範囲で変化するとき,禁制バンド幅は急速に減少した。この変化は2H-SiC結晶の金属的特性は電子温度T_e上昇と共に増加することを示した。状態密度(DOS)および部分状態密度の全密度はT_e=0eV及び5eVで計算した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
