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J-GLOBAL ID：201602291063023010   整理番号：16A0858685

CEをドープした0.9BI_4TI_3O_(12)-0.1K_(0.5)NA_(0.5)NBO_3ビスマス層状圧電セラミックの構造と性能の研究【JST・京大機械翻訳】

Microstructure and Electrical Properties of Cerium-Doped Bismuth-Layer 0.9Bi_4Ti_3O_(12)-0.1K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3 Piezoelectric Ceramics

著者 (5件)： Tu Na (Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Jiang Xiangping (Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Chen Chao (Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Fu Xiaolong (Jingdezhen Ceramic Institute) ,  Yang Fan (Jingdezhen Ceramic Institute)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 45  号： 2  ページ： 292-296  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 伝統的固相反応により調製した。CEO_2をドープした0.9BI_4TI_3O_(12)-0.1K_(0.5)NA_(0.5)NBO_3 (BTO-KNN)ビスマス層状セラミック材料。本システムでは,BTO-KNN基陶瓷物相構造、微細構造および電気的性質に対するCEO_2ドーピングの影響を研究した。結果:すべてのセラミック試料では,いずれも単一ビスマス層状構造であった;CEO_2のドーピングに伴いBTO-KNN基セラミックの圧電性能が顕著に向上して,損失は有意に低下した。試料は,CEO_2含有量が0.75%(質量分率)であるときの最適電気化学的性能を持つ:I.E.,D_(33)=28 C/N,誘電損失TANΔ=0.29%,機械的品質係数Q_M=2897,残留分極P_R=11.83ΜC/CM2,そして,CURIE温度TCは615°Cと高かった;研究結果では,CEO_2ドーピングした0.9BI_4TI_3O_(12)-0.1K_(0.5)NA_(0.5)NBO_3ビスマス層状セラミックスは1つの潜在的な高温セラミック材料であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微細構造 ,  *圧電セラミック ,  残留分極 ,  電気的性質 ,  固相反応 ,  高温 ,  層状組織 ,  誘電損失 ,  *セラミック ,  *圧電気 ,  *ドーピング ,  機械的品質係数 ,  質量分率
準シソーラス用語： 電気化学的性能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： bismuth layer-structured ,  piezoelectric ceramics ,  microstructure ,  Bi_4Ti_3O_(12)

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ce ,  ドープ ,  ビスマス ,  層状 ,  圧電セラミック ,  研究