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J-GLOBAL ID：201602291284600924   整理番号：16A1340848

障壁としてMgOとCaF₂を用いたMgB₂上の超伝導トンネル接合

Superconducting tunnel junctions on MgB₂ using MgO and CaF₂ as a barrier

著者 (5件)： Sakoda Masahito (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Aibara Masato (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Mede Kazuya (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Kikuchi Motoyuki (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Naito Michio (Department of Applied Physics, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan)
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 530  ページ： 82-86  発行年： 2016年11月15日 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 障壁としてMgOとCaF₂を用いたMgB₂上の超伝導-絶縁体-常伝導金属(SIN)および超伝導-絶縁体-超伝導(SIS)の両方の超伝導トンネル接合の作製について報告する。MgO障壁を用いて作製したSIN接合は,2.5~3meVの大きな超伝導ギャップ(Δ)と低いゼロバイアス伝導を含む優れた準粒子特性を示した。MgOを用いたSIS接合も作製したが,SIS接合の準粒子特性はSIN接合のものほど良好ではなかった。すなわち,超伝導ギャップは減少し,ゼロバイアス伝導は高くなった。MgB₂頂部電極が良好に成長しないことがわかった。このことは,in situ RHEED観察からも示唆された。CaF₂障壁を用いて作製したSIN接合は,MgO障壁を用いたものよりも準粒子特性が鋭くなかった。しかしながら,CaF₂障壁を用いたSIN接合は,4.2Kで1mVを越えるかなり大きなI_cR_N値を示し,ほぼ膜のT_c(約30K)まで有限のJosephson電流も示した。RHEED観測から,CaF₂障壁上にMgB₂頂部電極が良好に成長していることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Josephson接合 ,  *ホウ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *トンネル接合 ,  *超伝導接合 ,  SIS構造 ,  障壁 ,  エネルギーギャップ ,  準粒子 ,  RHEED
準シソーラス用語： *ホウ化マグネシウム ,  *超伝導トンネル接合 ,  超伝導ギャップ

著者キーワード (3件)： MgB₂ ,  Josephson junction ,  Superconductor-insulator-normal metal junctions

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 障壁 ,  MgO ,  CaF2 ,  MgB2 ,  超伝導トンネル接合