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J-GLOBAL ID：201602291450759270   整理番号：16A0909648

雰囲気空気中での垂直Bridgman法によるβ-G₂O₃単結晶の成長

Growth of β-Ga₂O₃ single crystals using vertical Bridgman method in ambient air

著者 (6件)： Hoshikawa K. (Faculty of Engineering, Shinshu University, Nagano, Japan) ,  Ohba E. (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan) ,  Kobayashi T. (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan) ,  Yanagisawa J. (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan) ,  Miyagawa C. (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan) ,  Nakamura Y. (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 447  ページ： 36-41  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 雰囲気空気中で垂直Bridgman法を利用して,β-G₂O₃単結晶を成長する新しい方法を研究し,一方,β-G₂O₃融点を測定し,るつぼ成分と形状の効果を調べた。径が25mmのβ-G₂O₃単結晶を,雰囲気空気中でプラチナ-ロジウム合金るつぼ内で,るつぼ壁への結晶付着無しに成長させた。(100)ファセット面への垂直成長条件で,種結晶無しでの単結晶成長を実現した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Bridgman法 ,  *酸化ガリウム ,  単結晶 ,  融点 ,  空気 ,  *坩堝 ,  *白金合金 ,  ロジウム含有合金 ,  形態
準シソーラス用語： *垂直Bridgman法

著者キーワード (5件)： A2. Bridgman technique ,  A2. Growth from melt ,  A2. Single crystal growth ,  B1. Oxides ,  B2. Semiconducting gallium compounds

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 雰囲気 ,  空気中 ,  垂直Bridgman法 ,  単結晶の成長