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J-GLOBAL ID：201602292143537661   整理番号：16A1202303

トップゲート構成を有する溶液処理の有機電界効果トランジスタの高い動作安定性

High operational stability of solution-processed organic field-effect transistors with top-gate configuration

著者 (4件)： Takagi Kenichiro (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Nagase Takashi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Kobayashi Takashi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan) ,  Naito Hiroyoshi (Department of Physics and Electronics, Osaka Prefecture University, 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku, Sakai, Osaka 599-8531, Japan)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 32  ページ： 65-69  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範な溶液処理有機半導体に基づくトップゲート型電界効果トランジスタの電気的特性を,系統的に検討した。アモルファス高分子半導体から多結晶分子半導体に至る様々な有機半導体に基づくトップゲート型電界効果トランジスタは,電界効果移動度での顕著な差異にも関わらず,文献に報告されたボトムゲート有機電界効果トランジスタと比較して,高い動作安定性を示した。電荷輸送と動作安定性の間の相関関係を議論し,トップゲート型有機電界効果トランジスタの高い動作安定性への洞察を得た。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  処理 ,  *有機半導体 ,  ゲート【半導体】 ,  キャリア移動度 ,  高分子半導体 ,  *多層構造 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  安定性 ,  電界効果移動度 ,  溶液処理
準シソーラス用語： *トップゲート構造 ,  ボトムゲート ,  多結晶質 ,  *有機電界効果トランジスタ

著者キーワード (4件)： Organic field-effect transistor ,  Top-gate configuration ,  High mobility ,  Bias stress

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： トップ ,  ゲート ,  溶液処理 ,  有機電界効果トランジスタ ,  動作安定性