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J-GLOBAL ID：201602295071692902   整理番号：16A0336945

シリコンフォトニック集積とその展望のためのシリコン基板上の量子ドットレーザ【Powered by NICT】

Quantum dot lasers on silicon substrate for silicon photonic integration and their prospect

著者 (3件)： Wang Ting (Inst. of Physics, Chinese Acad. Sciences, Beijing) ,  Zhang Jianjun (Inst. of Physics, Chinese Acad. Sciences, Beijing) ,  Liu Huiyun (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Univ. Coll. London, Torrington Place, UK, London)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 20  ページ： NONE  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,シリコンフォトニック集積回路のためのシリコン基板上のIII-V量子ドットレーザの最近の進歩をレビューした。各種エピタキシャル技術を導入することにより,Si,GeとSiGe基板上の室温1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザがそれぞれ達成された。Ge基板上の量子ドットレーザは,室温で55.2cm~2の超低しきい値電流密度連続波モードで60°C以上を操作することができる。さらに,SiGe仮想基板を用いて,30°Cと16.6~mWの出力パワーで,4600時間の寿命が達成されたが,それは大規模フォトニック集積のための明るい将来を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 仕事率 ,  *ケイ素 ,  光集積回路 ,  連続波 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： シリコンゲルマニウム ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積 ,  展望 ,  シリコン基板 ,  量子ドットレーザ