文献

J-GLOBAL ID：201602295477348935   整理番号：16A0336903

一軸歪Si NMOSFETのチャネル電流のモデル【Powered by NICT】

A Model of channel current for uniaxially strained Si NMOSFET

著者 (6件)： Lu Yi (Key Lab. for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Zhang Heming (Key Lab. for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Hu Huiyong (Key Lab. for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an) ,  Yang Jinyong (Beijing Res. Inst. of Precise Mechatronic Controls, Beijing) ,  Yin Shujuan (Coll. of Sci., Beijing Information Sci. and Technol. Univ., Beijing) ,  Zhou Chunyu (Key Lab. for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian Univ., Xi’an)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 19  ページ： NONE  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： チャネル電流モデルを用いて,一軸歪Si NMOSFETデバイスと回路の挙動を解析した。移動度としきい値電圧モデルの開発により,基礎的なドリフト-拡散方程式から出発して,一軸歪Si NMOSFETデバイスのためのチャネル電流モデルは,異なるバイアス条件の下で開発した。特に,応力強度は,移動度としきい値電圧モデルに明示的に含まれて,これが素子チャネル電流と応力強度との間の関係を直接反映するモデルを便利にした。さらに,サブ閾値電流モデルの面から,弱い反転よりむしろ通常の有効チャネル厚み近似の電荷が関与している。この方法では,モデルの精度を改善することができる。さらに,このモデルはverilogA言語を用いて実装した歪Si回路のSPICEシミュレーションに適用し,モデルパラメータ抽出ツールParamPlus++を同時に開発した。その結果,一軸歪みSi NMOSFETデバイスと回路のシミュレーションが実現できる。シミュレーションデータは,実験結果に適合し,TCADシミュレーション結果に非常に良く,これはモデルの精度を証明した。一方応力強度に関してしきい値電圧とサブしきい値電流のシミュレーション結果を得,解析した。結果は,増加する応力拡大しきい値電流が増加したが,しきい値電圧が低下することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応力 ,  *チャネル ,  シミュレーション ,  ドリフト ,  *電流 ,  拡散方程式 ,  *ケイ素 ,  移動度 ,  バイアス
準シソーラス用語： 閾値電流 ,  TCAD ,  パラメータ抽出 ,  サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  *一軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  数理物理学  (BA03000W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 一軸歪 ,  Si ,  nMOSFET ,  チャネル ,  モデル