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J-GLOBAL ID：201602295844322616   整理番号：16A0554510

フラックス法を用いたSrNbO₂N光電極の高性能化

著者 (6件)： 小寺正徳 (東大) ,  浦部治貴 (東大) ,  片山正士 (東大) ,  久富隆史 (東大) ,  嶺岸耕 (東大) ,  堂免一成 (東大)
資料名： 光がかかわる触媒化学シンポジウム講演要旨集  (光がかかわる触媒化学シンポジウム要旨集)
巻： 35th  ページ： 52  発行年： 2016年06月10日 
JST資料番号： L1788A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フラックス法 ,  *光電極 ,  *ニオブ酸塩 ,  *ストロンチウム化合物 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *窒化物 ,  光電流 ,  電流密度 ,  特性 ,  ペロブスカイト型構造 ,  光電気化学特性
準シソーラス用語： *窒化ニオブ酸ストロンチウム ,  光電流密度 ,  高性能化

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (3件)： フラックス法 ,  光電極 ,  高性能化