文献

J-GLOBAL ID：201602297406641065   整理番号：16A0330036

円筒リング形状の半導体量子井戸細線における電子Raman散乱【Powered by NICT】

Electron Raman scattering in semiconductor quantum well wire of cylindrical ring geometry

著者 (4件)： Re Betancourtriera (Instituto Tecnologico de Hermosillo. Avenida Tecnologico S/N, Col. Sahuaro, C.P. 83170, Hermosillo, Mexico, Sonora) ,  Ri Betancourtriera (Instituto Tecnologico de Hermosillo. Avenida Tecnologico S/N, Col. Sahuaro, C.P. 83170, Hermosillo, Mexico, Sonora) ,  Jalil Nieto J M (Tecnologico de Monterrey-Campus Sonora Norte. Bulevar Enrique Mazon Lopez No. 965, C.P. 83000, Hermosillo, Mexico ...) ,  Riera R (Departamento de Investigacion en Fisica, Universidad de Sonora, Apartado Postal 5-088, C.P. 83190, Hermosillo ...)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 24  号： 11  ページ： 117302-1-117302-6  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,電子状態と円筒リング幾何学の半導体量子井戸細線における電子Raman散乱の微分断面積を調べた。ここで開発した電子Raman散乱はこれらの閉じ込め系の電子バンド構造に関する直接的情報を提供するために使用できる。著者らは,系はGaAs/Al(0.35)Ga(0.65)Asマトリックス中で成長すると仮定した。システムはT=0Kまた単一放物型伝導帯,閉じ込めによるサブバンドシステムに分割し,これを考慮してモデル化した。発光スペクトルは異なる散乱形態について考察し,プロセスに対する選択則を研究した。スペクトルの特異点を見つけ解釈した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 選択則 ,  幾何学 ,  モデリング ,  スペクトル ,  微分断面積 ,  発光スペクトル ,  *Raman散乱 ,  特異点 ,  *円筒 ,  *散乱 ,  電子状態 ,  伝導バンド ,  *細線
準シソーラス用語： 電子バンド構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： リング形状 ,  半導体量子井戸 ,  細線 ,  電子Raman散乱