特許
J-GLOBAL ID：201603000225097438
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121062
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247288
特許番号：特許第5982179号
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層と、を有する半導体層と、
前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第2の面に設けられたp側電極と、
前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第2の面に設けられたn側電極と、
前記第2の面側に設けられ、前記p側電極に通じる第1の開口と、前記n側電極に通じる第2の開口と、を有する第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の開口を介して前記p側電極と電気的に接続されたp側配線層と、
前記第1の絶縁膜上に前記p側配線層から離間して設けられ、前記第2の開口を介して前記n側電極と電気的に接続されたn側配線層と、
前記p側配線層上に設けられ、前記p側配線層よりも厚いp側金属ピラーと、
前記n側配線層上に設けられ、前記n側配線層よりも厚いn側金属ピラーと、
前記p側金属ピラーと前記n側金属ピラーとの間に設けられ、前記p側金属ピラーの側面および前記n側金属ピラーの側面を覆う第2絶縁膜と、
を備え、
前記p側配線層の前記p側金属ピラーの下に位置する部分と、前記n側配線層の前記n側金属ピラーの下に位置する部分と、の間において、
前記p側配線層は、前記n側配線層に向かって突出した複数の凸部を有し、
前記n側配線層は、前記p側配線層の前記複数の凸部の間に延在する複数の部分を有する半導体発光装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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