特許

J-GLOBAL ID：201603000258771274

電子デバイスの製造装置

発明者： 木下 敏幸 ,  波木井 健 ,  石代 宏 ,  吉田 和央 ,  小野 美奈子 ,  辻村 隆俊
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062413
公開番号（公開出願番号）：WO2013-162004
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

基材の保持部材と、基材の一主面側に相対的に移動して設けられ当該基材の一主面に向かって窒素含有化合物を供給して窒素含有層を成膜するための第1供給源と、第1供給源よりも基材の相対的な移動方向の下流側に設けられ、当該基材の一主面に向かって銀を主成分とする電極材料を供給して透明電極層を成膜するためのもので、当該基材の所定位置に対しての窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、当該所定位置に対して透明電極層の成膜が開始されるように設けられた第2供給源とを備えた電子デバイスの製造装置。

請求項（抜粋）：

基材を保持するための保持部材と、 前記基材の一主面側において当該基材に対してその面方向に相対的に移動する状態で設けられると共に、当該基材の一主面に向かって窒素含有化合物を供給することにより当該基材の一主面上に窒素含有層を成膜するための第1供給源と、 前記第1供給源よりも前記基材の相対的な移動方向の下流側に設けられると共に、当該基材の一主面に向かって銀を主成分とする電極材料を供給することにより当該基材の一主面側に透明電極層を成膜するためのもので、当該基材の所定位置に対しての前記窒素含有層の成膜開始後から成膜終了後2分までの間に、当該所定位置に対して透明電極層の成膜が開始されるように、当該第1供給源との間の間隔が保たれた第2供給源と、 を備えた電子デバイスの製造装置。

IPC (3件)：

H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/28

FI (3件)：

H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28

Fターム (24件)：

3K107AA01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB06 ,  3K107CC05 ,  3K107CC12 ,  3K107CC45 ,  3K107DD02 ,  3K107DD22 ,  3K107DD44X ,  3K107EE48 ,  3K107FF15 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  3K107GG34 ,  3K107GG42 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB02 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA01 ,  5G323BB03 ,  5G323BB06