特許

J-GLOBAL ID：201603000580032738

エッチング方法

発明者： ▲高▼橋 信博 ,  松本 雅至 ,  萩原 彩乃 ,  竹谷 考司 ,  松永 淳一郎
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-019114
公開番号（公開出願番号）：特開2016-143781
出願日： 2015年02月03日
公開日（公表日）： 2016年08月08日
要約：

【課題】SiGeおよびSiが共存する被処理基板において、Siに対するSiGeの選択的エッチングおよびSiGeに対するSiの選択的エッチングを同じガス系を用いて同一の装置で行うことができるエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコンとシリコンゲルマニウムを有する被処理基板をチャンバー内に配置し、エッチングガスのガス系をF2ガスおよびNH3ガスとし、F2ガスとNH3ガスとの比率を変化させることにより、シリコンに対するシリコンゲルマニウムの選択的エッチングと、シリコンゲルマニウムに対するシリコンの選択的エッチングを行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

シリコンとシリコンゲルマニウムを有する被処理基板をチャンバー内に配置し、エッチングガスのガス系をF2ガスおよびNH3ガスとし、F2ガスとNH3ガスとの比率を変化させることにより、シリコンに対するシリコンゲルマニウムの選択的エッチングと、シリコンゲルマニウムに対するシリコンの選択的エッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L 21/302

FI (1件)：

H01L21/302 201A

Fターム (15件)：

5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004BA19 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EA28 ,  5F004EA34