特許
J-GLOBAL ID:201603000779863337
薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びX線センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 福田 浩志
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2013063067
公開番号(公開出願番号):WO2013-168774
出願日: 2013年05月09日
公開日(公表日): 2013年11月14日
要約:
活性層14と、ソース電極16と、ドレイン電極18と、ゲート絶縁膜20と、ゲート電極22とを有し、活性層が金属元素として少なくともInを含む非晶質酸化物半導体層であり、活性層において、活性層に含まれる全金属元素に対するInの組成比が50%以上であり、活性層の厚みが25nm以下であり、ソース電極及びドレイン電極の各々が2以上の層を含み、ソース電極及びドレイン電極の各々において、厚さ方向において活性層に最も近い層が金属元素として少なくともGaを含む酸化物層16A,18Aであり、酸化物層において、酸化物層に含まれる全金属元素に対するGaの組成比が30%以上である薄膜トランジスタ10。
請求項(抜粋):
活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、
前記活性層が金属元素として少なくともInを含む非晶質酸化物半導体層であり、
前記活性層において、前記活性層に含まれる全金属元素に対するInの組成比が50%以上であり、
前記活性層の厚みが25nm以下であり、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々が2以上の層を含み、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極の各々において、厚さ方向において前記活性層に最も近い層が金属元素として少なくともGaを含む酸化物層であり、
前記酸化物層において、前記酸化物層に含まれる全金属元素に対するGaの組成比が30%以上である、
薄膜トランジスタ。
IPC (10件):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 27/146
, H01L 27/144
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 21/363
, G02F 1/136
, H01L 51/50
, H05B 33/14
FI (16件):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 618A
, H01L29/78 618C
, H01L29/78 618Z
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 616T
, H01L29/78 619A
, H01L27/14 C
, H01L27/14 K
, H01L21/28 301B
, H01L29/50 M
, H01L21/363
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H05B33/14 Z
Fターム (133件):
2H192AA24
, 2H192BC31
, 2H192CB02
, 2H192CB03
, 2H192CB05
, 2H192CB06
, 2H192CB35
, 2H192CB37
, 2H192CC72
, 2H192EA43
, 2H192EA74
, 2H192HA13
, 3K107AA01
, 3K107AA05
, 3K107BB01
, 3K107CC33
, 3K107CC42
, 3K107DD16
, 3K107DD17
, 3K107EE04
, 3K107FF14
, 3K107FF15
, 4M104AA03
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB36
, 4M104BB37
, 4M104BB38
, 4M104CC01
, 4M104DD34
, 4M104DD36
, 4M104DD37
, 4M104DD43
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, 4M104DD68
, 4M104DD79
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, 4M104FF09
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, 4M104GG09
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, 4M118HA25
, 4M118HA26
, 4M118HA27
, 5F103AA08
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, 5F110NN14
, 5F110NN16
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, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
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