特許
J-GLOBAL ID：201603000787527915
位相シフトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (15件)：
蔵田 昌俊
, 高倉 成男
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 井関 守三
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-110631
公開番号（公開出願番号）：特開2013-238691
特許番号：特許第6019731号
出願日： 2012年05月14日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】露光波長に対して透明な基板上に、MoSiを主成分とする位相シフト膜と、Crを主成分とする遮光膜と、TaNを主成分とするハードマスクとが順次積層された位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜及び遮光膜は、前記ハードマスクをエッチング可能な非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)では実質的にエッチングされない材質からなり、前記位相シフト膜及びハードマスクは、前記遮光膜をエッチング可能な酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)では実質的にエッチングされない材質からなり、前記遮光膜は、前記位相シフト膜をエッチング可能なフッ素系エッチング(F系)では実質的にエッチングされない材質からなる位相シフトマスクブランクの前記ハードマスクを、前記非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)を利用してパターニングすることにより、ハードマスクパターンを形成する工程、
前記ハードマスクパターンをマスクとして用いて前記遮光膜を前記酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)でドライエッチングすることにより、遮光膜パターンを形成する工程、
前記遮光膜パターンと前記位相シフト膜とを実質的にエッチングせずに、前記ハードマスクパターンを、前記非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)でドライエッチングすることにより除去する工程、及び
前記遮光膜パターンをマスクとして用いて前記位相シフト膜と前記基板とを前記フッ素系エッチング(F系)でドライエッチングすることにより、位相シフトパターンを形成するとともに、前記基板を掘り込む工程
を含んだ位相シフトマスクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/26 ( 201 2.01)
, G03F 1/80 ( 201 2.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
G03F 1/26
, G03F 1/80
, H01L 21/302 105 A
