特許

J-GLOBAL ID：201603000911910064

半導体発光素子

発明者： 三木 聡 ,  伊藤 俊秀
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-187111
公開番号（公開出願番号）：特開2016-062924
出願日： 2014年09月12日
公開日（公表日）： 2016年04月25日
要約：

【課題】高光取り出し効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、半導体層と、第1導電層と、前記半導体層と前記第1導電層との間に設けられた第2導電層と、を備える。前記第2導電層の光透過率は、前記第1導電層の光透過率よりも高い。前記第2導電層の消衰係数は、0.005以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、 第1導電層と、 前記半導体層と前記第1導電層との間に設けられた第2導電層と、 を備え、 前記第2導電層の光透過率は、前記第1導電層の光透過率よりも高く、 前記第2導電層の消衰係数は、0.005以下である半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/42 ,  H01L 33/32 ,  H01L 33/10

FI (3件)：

H01L33/00 222 ,  H01L33/00 186 ,  H01L33/00 130

Fターム (22件)：

5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA86 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA98 ,  5F141CB04 ,  5F141CB15 ,  5F141CB36 ,  5F241AA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA05 ,  5F241CA40 ,  5F241CA86 ,  5F241CA88 ,  5F241CA92 ,  5F241CA98 ,  5F241CB04 ,  5F241CB15 ,  5F241CB36