特許

J-GLOBAL ID：201603001006898200

垂直共振面発光レーザ

発明者： 岩田 圭司 ,  松原 一平 ,  粉奈 孝行 ,  渡邊 博 ,  柳ヶ瀬 雅司
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013064301
公開番号（公開出願番号）：WO2013-176201
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

垂直共振面発光レーザ(1)は、半絶縁性半導体からなるベース基板(11)と、該ベース基板(11)の表面に順次形成されたN型半導体コンタクト層(21)、N型半導体多層膜反射層(22)、N型半導体クラッド層(31)、量子井戸を備える活性層(40)、P型半導体クラッド層(32)、P型半導体多層膜反射層(23)、P型半導体コンタクト層(24)を含む発光領域多層部と、P型半導体コンタクト層の表面に形成されたアノード用電極と、N型半導体クラッド層に接続するカソード用電極と、を備える。カソード用電極は、ベース基板(11)の発光領域多層部側に形成されている。各垂直共振面発光レーザの間には、N型半導体コンタクト層(21)、N型半導体多層膜反射層(22)を貫通し、ベース基板(11)の表面から内側まで窪む形状の溝(80)が形成されている。

請求項（抜粋）：

ベース基板と、 該ベース基板の表面に形成された、N型半導体多層膜反射層、量子井戸を備える活性層、P型半導体多層膜反射層をそれぞれ含む発光領域多層部と、 P型半導体多層膜反射層に接続されるアノード用電極と、 N型半導体多層膜反射層に接続されるカソード用電極と、を備え、 前記ベース基板は、少なくとも前記発光領域多層部側の所定厚みが半絶縁性半導体からなり、 前記カソード用電極は、前記ベース基板の表面側に形成されており、 前記発光領域多層部、前記アノード用電極、前記カソード用電極からなる発光素子構成要素の組は、前記ベース基板に複数形成されており、 前記複数の発光素子構成要素は個別に分離されており、前記複数の発光素子構成要素はそれぞれ独立に駆動する、垂直共振面発光レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/42

FI (2件)：

H01S5/183 ,  H01S5/42

Fターム (12件)：

5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AC52 ,  5F173AD04 ,  5F173AH02 ,  5F173AK22 ,  5F173AK23 ,  5F173AP42 ,  5F173AP47 ,  5F173AR61