特許
J-GLOBAL ID：201603001116176804

半導体装置

発明者：
大嶋 和晃

大嶋 和晃 について

, 
小林 英智

小林 英智 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-027014
公開番号（公開出願番号）：特開2016-164976
出願日： 2016年02月16日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：
【課題】無線タグにおける電源電圧の生成が一時的に停止して内部回路への電源電圧の供給が一時的に停止(瞬断)しても、コマンドシーケンスを途中から再開する。【解決手段】無線タグが有する信号処理回路のレジスタやキャッシュメモリとして電源電圧の供給が停止した後もデータを保持し続ける構成を採用する。こうして、瞬断の後に、信号処理回路は電源電圧供給停止前の状態に復帰して信号処理を再開することができるため、コマンドシーケンスを途中から再開することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
リーダ/ライタが発振する電磁波を受信している期間のみ電源電圧を生成する無線タグを有し、 前記無線タグは、 前記リーダ/ライタから送信されたコマンドを受信する機能と、 信号処理回路において、前記コマンドに従って信号処理を行う機能と、 前記信号処理回路において、レジスタとして機能する複数のフリップフロップ回路に保持されたデータを、それぞれ個別の記憶回路に保持させる機能と、 前記信号処理の結果に応じたレスポンスを、前記電磁波を変調することによって前記リーダ/ライタに返信する機能と、 を有し、 前記記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成される第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなる保持ノードに一対の電極のうちの一方が電気的に接続された容量素子と、を有し、 前記フリップフロップ回路中のデータが保持されたノードの電位が前記第1のトランジスタを介して前記保持ノードに入力されるように、前記記憶回路は前記フリップフロップ回路と電気的に接続され、 前記フリップフロップ回路は、チャネルがシリコンに形成される第2のトランジスタを用いて構成される半導体装置であって、 前記第2のトランジスタの上に第1の絶縁層を有し、 前記第1の絶縁層の上に前記酸化物半導体層を有し、 前記酸化物半導体層の上に前記第1のトランジスタのゲート電極を有し、 前記第1のトランジスタの上に第2の絶縁層を有し、 前記第2の絶縁層の上に前記容量素子を有し、 前記酸化物半導体層は、前記第1の絶縁層の上面に垂直な方向に沿うようにc軸配向した結晶を有し、水素濃度が1×1018/cm3以下であり、且つ、ナトリウム濃度が5×1016/cm3以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H03K 3/356 ,  G06K 19/07 ,  H04B 1/59
FI (5件)：
H01L27/10 321 ,  H03K3/356 B ,  G06K19/07 230 ,  G06K19/07 090 ,  H04B1/59
Fターム (120件)：
5F083AD02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA14 ,  5F110AA06 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE27 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL24 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5J034AB15 ,  5J034CB02 ,  5J034DB08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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