特許
J-GLOBAL ID：201603001206004450
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
, 久保 貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-061128
公開番号（公開出願番号）：特開2016-181607
出願日： 2015年03月24日
公開日（公表日）： 2016年10月13日
要約：
【課題】搭載部材と、搭載部材側に凸に反った半導体チップとをはんだ接合してなる半導体装置において、放熱性及び接続信頼性を確保すること。【解決手段】ヒートシンク11と、ヒートシンクとの対向面12aに金属層13を有するとともにヒートシンク側に凸に反った半導体チップ12とを、準備する。半導体チップ12は、中心C1を含む中央領域12a1と、中央領域12a1を取り囲む12a2とを有する。準備工程後、半導体チップの中央領域12a1に第1はんだ15aを配置し、ヒートシンク11における外周領域に対応する部分に、第2はんだ15bを第1はんだよりも厚く、且つ、中央領域を取り囲むように配置する。そして、ヒートシンク上に半導体チップを配置し、溶融した第1はんだ及び第2はんだにより、金属層とヒートシンクとを接合する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
搭載部材(11)と、前記搭載部材との対向面(12a)に金属層(13)を有するとともに前記搭載部材側に凸に反った半導体チップ(12)とを、はんだ(15)により接合し、前記半導体チップの中心(C1)を含む前記半導体チップの中央領域(12a1)に対応するはんだ厚が、前記中央領域を取り囲む前記半導体チップの外周領域(12a2)に対応するはんだ厚よりも薄い半導体装置を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記搭載部材と、凸に反った前記半導体チップを準備する準備工程と、
前記準備工程後、前記半導体チップ及び前記搭載部材の一方に、前記はんだを構成する第1はんだ(15a)を前記中央領域に対応して配置するとともに、他方に、前記第1はんだとともに前記はんだを構成する第2はんだ(15b)を、前記外周領域に対応しつつ前記中央領域を取り囲むように、前記第1はんだよりも厚く配置し、この配置状態で、溶融した前記第1はんだ及び前記第2はんだにより、前記金属層と前記搭載部材とを接合する接合工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/52 C
, H01L23/34 A
, H01L21/52 A
5F047AB06
, 5F047BA01
, 5F047BB16
, 5F047BB18
, 5F047BC02
, 5F047BC07
, 5F047BC09
, 5F047BC12
, 5F047BC35
, 5F136DA07
, 5F136DA22
, 5F136DA27
