特許

J-GLOBAL ID：201603001400160896

半導体装置の駆動方法

発明者： 松嵜 隆徳 ,  井上 広樹 ,  長塚 修平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-111824
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008435
特許番号：特許第6013682号
出願日： 2012年05月15日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メモリセルを有し、 前記メモリセルは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量素子と、を有し、 前記第2のトランジスタは、前記メモリセルへのデータの書き込みを制御する機能を有し、 前記第2のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記容量素子と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、ビット線と電気的に接続される半導体装置の駆動方法であって、 スタンバイ期間において、前記ビット線の電位を第1の電位とし、 前記スタンバイ期間の後の読み出し期間において、前記メモリセルからの前記データの読み出しを行い、 前記第1の電位は、前記データの最大値と最小値との間の値であり、 前記読み出し期間において、前記ビット線の電位を、前記第1の電位から上昇させないことを特徴とする半導体装置の駆動方法。

IPC (10件)：

G11C 11/405 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  G11C 11/4094 ( 200 6.01)

FI (9件)：

G11C 11/34 352 B ,  H01L 27/10 321 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 441 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 618 B ,  G11C 11/34 353 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ゲイン・メモリ・セル回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-026997   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196156   出願人：三菱電機株式会社
• 酸化物半導体膜、および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-221574   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (3件)

• ゲイン・メモリ・セル回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-026997   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-196156   出願人：三菱電機株式会社
• 酸化物半導体膜、および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-221574   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所