特許
J-GLOBAL ID：201603001462096949

配線構造の製造方法

発明者：
尾上 和之

尾上 和之 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-259019
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107404
特許番号：特許第6007754号
出願日： 2012年11月27日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に下側金属層を形成する工程と、 前記下側金属層の一部を露出させる開口を有する絶縁膜を前記下側金属層上に形成する工程と、 前記絶縁膜の前記開口内において前記下側金属層上に上側金属層を形成する工程と、 前記上側金属層に対して前記絶縁膜を選択的にエッチングして前記絶縁膜を薄膜化する工程と、 薄膜化した前記絶縁膜を第1のイオンミリングによりスパッタして前記上側金属層の側壁に付着させてカバー膜を形成する工程と、 前記カバー膜を形成した後に、前記上側金属層をマスクとして用いた第2のイオンミリングにより、前記上側金属層の下方以外において前記基板上に存在する前記下側金属層を除去する工程と、 前記第2のイオンミリングの後に前記カバー膜をエッチング液により除去する工程とを備え、 前記第2のイオンミリングによりスパッタされた前記下側金属層が前記カバー膜上に残渣として付着し、 前記エッチング液により前記カバー膜と共に前記残渣をリフトオフにより除去することを特徴とする配線構造の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 21/88 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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