特許

J-GLOBAL ID：201603001497597940

Na添加光吸収層用合金とその製造方法及び太陽電池

発明者： 吉野 賢二 ,  永岡 章 ,  広瀬 俊和 ,  山下 三香
出願人/特許権者： 株式会社日本マイクロニクス ,  国立大学法人 宮崎大学
代理人 (1件)： 水野 恒雄
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013063085
公開番号（公開出願番号）：WO2013-172252
出願日： 2013年05月09日
公開日（公表日）： 2013年11月21日
要約：

太陽電池の光吸収層であるCIGS膜またはCIGSS膜へのNaの拡散が高精度に制御可能で、太陽電池の製造も簡単なCIGS4元系合金またはCIGSS5元系合金及びその製造方法を提供する。Naが添加されたCIGS4元系合金の製造方法は、銅、インジウム、ガリウムを含む混合物をアンプルに真空封入し、高温で結晶化させてCIG3元系合金を製造する第1工程と、CIG3元系合金を粉砕してCIG3元系合金粉末を製造する第2工程と、粉砕されたCIG3元系合金に、セレン及びセレン化ナトリウムを混合してアンプルに真空封入し、高温で結晶化させてCIGS4元系合金を製造する第3工程とを備える。CIGSS5元系合金は、さらにイオウを含み、第3工程でイオウが添加される。

請求項（抜粋）：

太陽電池を製造するための光吸収層材料であって、 銅、インジウム、ガリウム、セレン、及び、Ia族元素からなること、 を特徴とする光吸収層用合金。

IPC (4件)：

H01L 31/074 ,  H01L 31/18 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/34

FI (4件)：

H01L31/06 460 ,  H01L31/04 440 ,  H01L21/363 ,  C23C14/34 A

Fターム (23件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB18 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103KK10 ,  5F103LL04 ,  5F103PP12 ,  5F103RR05 ,  5F151AA10 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA02