特許
J-GLOBAL ID:201603001643790065

半導体歪みゲージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 片寄 恭三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-049280
公開番号(公開出願番号):特開2016-183963
出願日: 2016年03月14日
公開日(公表日): 2016年10月20日
要約:
【課題】 半導体歪みゲージ圧力センサのための方法および装置。【解決手段】 装置は、圧力環境に晒されるように構成され、且つ、少なくとも1つの高度にドープされた半導体歪みゲージを備える感知素子であって、当該高度にドープされた半導体歪みゲージが、5つのパッドの単一のフルホイートストンブリッジを備える、感知素子と、キャリア上に配置され、且つ、感知素子に電気的に結合される電子部品パッケージであって、当該キャリアが、感知素子を含むポート上に配置される、電子部品パッケージと、感知素子および電子部品パッケージ周辺に配置されるハウジングと、ハウジングに接合されるコネクタと、を備える。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
圧力環境に晒されるように構成され、且つ、少なくとも1つの高度にドープされた半導体歪みゲージを備える感知素子であって、当該高度にドープされた半導体歪みゲージが、5つのパッドの単一のフルホイートストンブリッジを備える、前記感知素子と、 キャリア上に配置され、且つ、前記感知素子に電気的に結合される電子部品パッケージであって、当該キャリアが、前記感知素子を含むポート上に配置される、前記電子部品パッケージと、 前記感知素子および電子部品パッケージ周辺に配置されるハウジングと、 前記ハウジングに接合され、且つ、前記電子部品パッケージに電気的に接続され、外部インターフェースを備えるコネクタと、 を含む装置。
IPC (2件):
G01L 9/00 ,  H01L 29/84
FI (5件):
G01L9/00 303P ,  G01L9/00 303M ,  G01L9/00 303Q ,  H01L29/84 A ,  H01L29/84 B
Fターム (19件):
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD01 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG25 ,  2F055GG44 ,  2F055HH11 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA08 ,  4M112CA11 ,  4M112EA02 ,  4M112EA07 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01

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