特許
J-GLOBAL ID:201603001643790065
半導体歪みゲージ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
片寄 恭三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-049280
公開番号(公開出願番号):特開2016-183963
出願日: 2016年03月14日
公開日(公表日): 2016年10月20日
要約:
【課題】 半導体歪みゲージ圧力センサのための方法および装置。【解決手段】 装置は、圧力環境に晒されるように構成され、且つ、少なくとも1つの高度にドープされた半導体歪みゲージを備える感知素子であって、当該高度にドープされた半導体歪みゲージが、5つのパッドの単一のフルホイートストンブリッジを備える、感知素子と、キャリア上に配置され、且つ、感知素子に電気的に結合される電子部品パッケージであって、当該キャリアが、感知素子を含むポート上に配置される、電子部品パッケージと、感知素子および電子部品パッケージ周辺に配置されるハウジングと、ハウジングに接合されるコネクタと、を備える。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
圧力環境に晒されるように構成され、且つ、少なくとも1つの高度にドープされた半導体歪みゲージを備える感知素子であって、当該高度にドープされた半導体歪みゲージが、5つのパッドの単一のフルホイートストンブリッジを備える、前記感知素子と、
キャリア上に配置され、且つ、前記感知素子に電気的に結合される電子部品パッケージであって、当該キャリアが、前記感知素子を含むポート上に配置される、前記電子部品パッケージと、
前記感知素子および電子部品パッケージ周辺に配置されるハウジングと、
前記ハウジングに接合され、且つ、前記電子部品パッケージに電気的に接続され、外部インターフェースを備えるコネクタと、
を含む装置。
IPC (2件):
FI (5件):
G01L9/00 303P
, G01L9/00 303M
, G01L9/00 303Q
, H01L29/84 A
, H01L29/84 B
Fターム (19件):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD01
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF11
, 2F055FF43
, 2F055GG25
, 2F055GG44
, 2F055HH11
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA08
, 4M112CA11
, 4M112EA02
, 4M112EA07
, 4M112EA13
, 4M112GA01
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