特許

J-GLOBAL ID：201603001671835805

単一パッケージブリッジ型磁界角度センサ

発明者： ディーク、ジェイムス ジーザ ,  ジン、インシク ,  レイ、シャオフォン ,  シェン、ウェイフォン ,  シュエ、ソンシュン ,  ジャン、シャオジュン
出願人/特許権者： 江▲蘇▼多▲維▼科技有限公司
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-555740
特許番号：特許第6018093号
出願日： 2012年03月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体パッケージリードフレームに接着される1対のMTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップを備えた単一パッケージ磁気角度センサであって、 前記1対のMTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップの一方は、他方に対して90度の方向に向けられており、 前記複数のMTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップのそれぞれは、固定抵抗を有する基準抵抗器と、磁界に応じて変化する抵抗を有する検出抵抗器とを含むハーフブリッジであり、 前記基準抵抗器および前記検出抵抗器のそれぞれは、単一の磁気抵抗素子として、横列に並んで相互接続された複数のMTJセンサ素子またはGMRセンサ素子と、前記磁気抵抗素子にバイアスをかけるために、前記複数のMTJセンサ素子またはGMRセンサ素子の列の間に配置された複数の棒状永久磁石とを含み、 複数の前記検出抵抗器は、それぞれの磁気抵抗伝達曲線の一部において、抵抗が印加磁界に線形的に比例しており、 前記センサチップの複数のボンドパッドは、2つ以上のワイヤボンドが一連の前記MTJセンサ素子またはGMRセンサ素子のそれぞれの側に取り付けられるように設計されており、 ブリッジセンサを形成するために、前記複数のMTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップは、ワイヤボンディングによって互いに接続されるとともに、前記半導体パッケージリードフレームにも接続されており、 前記半導体パッケージリードフレームおよび前記複数のMTJ磁気抵抗センサチップまたはGMR磁気抵抗センサチップがプラスチックに封入されることにより、標準半導体パッケージを形成することを特徴とする単一パッケージ磁気角度センサ。

IPC (2件)：

G01D 5/16 ( 200 6.01) ,  G01D 5/245 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G01D 5/16 G ,  G01D 5/245 N

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205117   出願人：アルプス電気株式会社

審査官引用 (1件)

• 磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205117   出願人：アルプス電気株式会社