特許
J-GLOBAL ID：201603002141465647

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
岡本 康宏

岡本 康宏 について

, 
中山 達峰

中山 達峰 について

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井上 隆

井上 隆 について

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宮本 広信

宮本 広信 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-014039
公開番号（公開出願番号）：特開2016-105499
出願日： 2016年01月28日
公開日（公表日）： 2016年06月09日
要約：
【課題】窒化物半導体層をチャネルとして用いたトランジスタにおいて、閾値電圧を高くする。【解決手段】第2窒化物半導体層200は、Alの組成比が互いに異なる複数の窒化物半導体層204を順次積層した構造を有するため、Al組成が階段状に変化している。第2窒化物半導体層200を形成する複数の半導体層は、それぞれが同一方向に分極している。そしてゲート電極420に近い半導体層は、ゲート電極420から遠い半導体層よりも、分極の強度が強く(又は弱く)なっている。すなわち複数の半導体層は、ゲート電極420に近づくにつれて、分極の強度が一方向に変化している。この分極の方向は、複数の半導体層内の界面において負の電荷が正の電荷よりも多くなる方向である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1窒化物半導体層と、 前記第1窒化物半導体層上に形成された第2窒化物半導体層と、 前記第2窒化物半導体層に接しているゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を介して前記第2窒化物半導体層に面しているゲート電極と、 を備え、 前記第1窒化物半導体層はAlxα1-xN層(αは、Ga又はInであり、かつ0 IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B
Fターム (44件)：
5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GL08 ,  5F102GL15 ,  5F102GL18 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC16 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB06 ,  5F140BB13 ,  5F140BB18 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BH14 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CC08
引用特許：
審査官引用 (3件)

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