特許

J-GLOBAL ID：201603002298959511

温度測定機構、熱処理装置

発明者： 山崎 良二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (4件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司 ,  扇田 尚紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-261059
公開番号（公開出願番号）：特開2016-121914
出願日： 2014年12月24日
公開日（公表日）： 2016年07月07日
要約：

【課題】熱処理装置において加熱対象となる被処理基板の温度を当該被処理基板の全面にわたって一度で測定する。【解決手段】温度測定機構は、ウェハWを撮像する撮像部60と、撮像部60とウェハWとの間に配置された、第1の波長と同じかまたはそれよりも短い波長の光を透過させる第1のフィルタと、撮像部60とウェハWとの間に配置された、第2の波長と同じかまたはそれよりも長い波長の光を透過させる第2のフィルタと、予め求められた、ウェハWの温度と、撮像部60で撮像したウェハの撮像画像の画素値との相関関係を記憶する記憶部100と、加熱処理中のウェハWの撮像画像から抽出された画素値と、記憶部100に記憶された相関関係Fに基づいて、加熱処理中のウェハWの温度を算出する演算部101と、を有し、第1の波長は、前記第2の波長よりも長い波長である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を加熱処理する熱処理装置において、被処理基板の温度を測定する温度測定機構であって、 被処理基板を撮像する撮像部と、 前記撮像部と前記被処理基板との間に配置された、所定の波長と同じかまたはそれよりも短い波長の光を透過させる光学フィルタと、 予め求められた、前記被処理基板の温度と、前記撮像部で撮像した被処理基板の撮像画像の画素値との相関関係を記憶する記憶部と、 加熱処理中の前記被処理基板の撮像画像から抽出された画素値と、前記記憶部に記憶された相関関係に基づいて、前記加熱処理中の被処理基板の温度を算出する演算部と、を有していることを特徴とする、温度測定機構。

IPC (7件)：

G01K 11/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/66 ,  G01J 5/00 ,  G01J 5/48 ,  G01J 5/06

FI (9件)：

G01K11/12 B ,  H01L21/265 602Z ,  H01L21/268 Z ,  H01L21/268 T ,  H01L21/66 T ,  G01J5/00 101C ,  G01J5/48 E ,  G01J5/48 F ,  G01J5/06

Fターム (21件)：

2F056VF01 ,  2F056VF07 ,  2F056VF11 ,  2F056VF16 ,  2G066AC01 ,  2G066BA14 ,  2G066BA22 ,  2G066BA23 ,  2G066BB01 ,  2G066BC11 ,  2G066BC15 ,  2G066BC21 ,  2G066CA02 ,  2G066CA15 ,  2G066CB01 ,  4M106AA01 ,  4M106BA09 ,  4M106CA31 ,  4M106DH13 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21